[发明专利]一种低温制备的高性能PZT改性压电陶瓷

摘要

本发明公开了一种低温制备的高性能PZT改性压电陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷的通式为Pb1‒x‒yLixCayTau[(Ni,Zn)1/3Nb2/3]v(Mg1/2W1/2)w(Ti,Zr)1‒u‒v‒wO3表示，0.1≤x≤0.5，0.1≤y≤0.5,0.1≤u≤0.9,0.01≤v≤0.10,0.01≤w≤0.10。采用固相反应法制备850~950°C低温烧结的PZT改性压电陶瓷粉体，再经过造粒，压片，排胶，烧结，烧银，极化等工艺制备陶瓷材料。结果表明，在850~950°C的烧结温度下制备得到了PZT改性陶瓷材料，其晶粒致密、晶粒均匀、结晶充分，液相烧结特征明显，压电性能大大提高。