[发明专利]一种透明电极结构的Micro-LED阵列及制备方法

摘要

本发明公开了一种透明电极结构的Micro‑LED阵列及制备方法，该结构主要包括发光像素单元、像素单元深隔离槽、衬底。发光像素单元包括：N型GaN、量子阱有源区、P型GaN、绝缘层、透明电极、N型金属电极、P型金属电极。本发明使用ITO作为透明电极，将其完全覆盖在P型GaN上，将P型金属电极制备在N型GaN上面的ITO上，正向电流通过P型金属电极流向ITO再导入到发光层，避免了由于Micro‑LED的P型金属电极面积占比大对发光效率的影响。由于ITO折射率处于空气与外延材料之间，可以提高出光角度，有助于光的逸出，增加了Micro‑LED阵列的光通量，并使其在相同电流下表现出更高的亮度。