[发明专利]低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法有效
| 申请号： | 202011387036.1 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112531015B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 王琦;梁智文;王新强;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学东莞光电研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523000 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤指一种低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法，在硅衬底依次外延生长有缓冲层、氮化镓沟道层、N型低掺杂氮化镓层、势垒层及氮化物帽层即得到低损耗氮化镓射频材料外延结构。本发明在势垒层下面增加的N型低掺杂氮化镓层，由于N型低掺杂氮化镓层的方阻比二维电子气的方阻低，在正常开态情况下，参与导通的功能很弱，但从关态到开态的过程，此层的电子可以补充二维电子气浓度的降低；其次从缓冲层的回迁到异质界面的电子能快速通过此层，达到快速补充异质结界面二维电子气的作用；故通过增加N型低掺杂氮化镓层可以最大限度降低动态过程中二维电子气浓度，从而达到了降低射频损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 损耗 氮化 射频 材料 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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