[发明专利]一种三维存储器及其制备方法

摘要

本申请公开了一种三维存储器及其制备方法，三维存储器包括具有交替堆叠的栅极层和层间绝缘层的叠层结构，叠层结构包括台阶区。该三维存储器还包括：字线接触结构，在台阶区内穿过叠层结构延伸至栅极层，并具有导电层和围绕导电层的绝缘阻隔层。三维存储器的制备方法包括：在台阶区形成穿过叠层结构并延伸至栅极层的字线接触孔；在字线接触孔的内侧壁形成绝缘阻隔层；以及在字线接触孔的剩余空间内形成连接至栅极层的导电层。