[发明专利]一种多层堆叠的环栅场效应晶体管沟道温度预测的方法有效
| 申请号： | 202011388665.6 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112630613B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 刘人华;李小进;孙亚宾;石艳玲 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层堆叠的环栅场效应晶体管沟道温度预测的方法，包括：步骤一：获取多层堆叠的环栅场效应晶体管的结构参数和热学参数；步骤二：基于有限元仿真工具，搭建第一类去嵌入结构；步骤三：提取各层沟道的结构热阻；步骤四：基于有限元仿真工具，搭建第二类去嵌入结构；步骤五：提取各层沟道间的耦合热阻；步骤六：基于热阻矩阵理论和热的线性叠加理论，使用牛顿迭代算法，预测多层堆叠的环栅场效应晶体管各层沟道的工作温度。本发明提出的温度预测方法纳入了各沟道间热耦合的实际情况，分离了多层堆叠的环栅场效应晶体管的材料热阻和耦合热阻，从而能精准地预测各层沟道的工作温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 堆叠 场效应 晶体管 沟道 温度 预测 方法 | ||
【主权项】：
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