[发明专利]一种多功能晶片腐蚀和清洗装置及使用方法在审
申请号: | 202011389381.9 | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN112509946A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 姚炜 | 申请(专利权)人: | 宁波瑞曼特新材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 孙玲 |
地址: | 315470 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开一种多功能晶片腐蚀和清洗装置及使用方法,涉及半导体加工制造领域,汇流管道固定于升降支撑组件上,汇流管道中设置有腐蚀液管道和清洗液管道,分别用于通入腐蚀液和清洗液,能够完成腐蚀和清洗两个步骤,简化了工艺流程,提高了晶片加工质量;升降支撑组件能够带动汇流管道上升或下降,进而调节喷淋高度;主喷淋臂的两端铰接于汇流管道上,副喷淋臂的两端固定于汇流管道上,两个喷淋臂可工作于定点喷淋和摆动喷淋两种模式,可以提高晶片腐蚀的均匀度;晶片承载组件中第二驱动部件用于驱动第二支撑杆摆动,使得晶片载具可以小角度倾斜,用于排出腐蚀液或清洗液,第三驱动部件用于驱动晶片载具转动,进而使得晶片稳定旋转。 | ||
搜索关键词: | 一种 多功能 晶片 腐蚀 清洗 装置 使用方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造