[发明专利]基于插指状p型掺杂金刚石的GaN HEMT及制备方法有效
| 申请号： | 202011389894.X | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112466944B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;武玫;程可;朱青;张濛;侯斌;杨凌;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/20;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于插指状p型掺杂金刚石的GaN HEMT及制备方法；该GaN HEMT包括自下而上设置的衬底、中间层和介质层；中间层包括势垒层以及缓冲层；源、漏、栅电极分别穿过介质层与势垒层接触；中间层沿栅宽方向刻蚀有插指型凹槽，插指型凹槽正上方的介质层形成第一插指结构；第一插指结构在水平方向上位于栅电极和漏电极之间并与栅电极相邻；栅、漏电极之间的介质层上生长有p型掺杂金刚石散热层；p型掺杂金刚石散热层的下表面形成第二插指结构；第二插指结构与第一插指结构无缝对接；栅电极的上端向漏电极的方向延伸，以覆盖p型掺杂金刚石散热层的部分上表面。本发明可以提高GaN HEMT在微波大功率场景下的散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 插指状 掺杂 金刚石 gan hemt 制备 方法 | ||
【主权项】：
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