[发明专利]单结晶金属氧化物半导体外膜生长装置在审
| 申请号： | 202011390424.5 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN113403682A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 崔范浩;李承洙;曹永根;金龙植 | 申请（专利权）人： | TOS株式会社 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B23/06;C30B29/16;C23C14/08;C23C14/30 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国京畿道乌山市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单结晶金属氧化物半导体外膜生长装置，包括：反应腔室，具备有内部空间；基板安装单元，配置于所述内部空间，能够安装基板；金属氧化物处理单元，处理金属氧化物，并使在所述金属氧化物上产生的金属离子和氧离子供应至所述基板上；砷供应单元，与所述基板相对，将砷离子供应至所述基板；其中，所述金属氧化物处理单元包括：安装台，配置于所述内部空间，与所述基板相对，并且还设置有所述金属氧化物的氧化锌板；以及电子束照射器，向所述氧化锌板以直射的方式照射电子束，使所述氧化锌板上蒸发的锌离子和氧离子向所述基板移动。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 金属 氧化物 半导体 生长 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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