[发明专利]单晶硅晶片的氧化膜耐压的评价方法有效
| 申请号： | 202011392014.4 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN113009075B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 铃木洋二 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;梅黎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供单晶硅晶片的氧化膜耐压的评价方法，该评价方法可简便且精度良好地评价从极低氧、氮掺杂单晶硅锭切出的单晶硅晶片的氧化膜耐压的好坏。对从极低氧、氮掺杂单晶硅锭采集的晶片状试样或纵切试样的表面实施铜装饰处理和随后的Wright蚀刻处理或Secco蚀刻处理。然后，观察所述表面，基于所述表面上显现的缺陷的有无和存在区域，评价从所述单晶硅锭切出的单晶硅晶片的氧化膜耐压的好坏。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 晶片 氧化 耐压 评价 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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