[发明专利]一种无源空腔型单晶薄膜体声波谐振器结构及制备方法有效
| 申请号： | 202011392791.9 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112532195B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;轩伟鹏;金浩;骆季奎 | 申请（专利权）人： | 海宁波恩斯坦生物科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 贾玉霞 |
| 地址： | 314402 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种无源空腔型单晶薄膜体声波谐振器结构，其包括支撑衬底、依次设置在支撑衬底上的键合黏附层、外延衬底层和单晶压电层，以及上电极和下电极；键合黏附层和外延衬底层的部分区域缺失，使得支撑衬底和单晶压电层之间形成一空腔；上电极、下电极分别位于单晶压电层远离支撑衬底的上下两侧，且下电极位于空腔内；第一互联金属层覆盖部分单晶压电层，并通过单晶压电层中的贯通孔与下电极连接；第二互联金属层覆盖部分单晶压电层和部分上电极层。本发明采用单晶压电材料作为FBAR的压电薄膜，能够获得更小的损耗、更大的Q值和更高的机电耦合系数，极大地提升FBAR的性能，能够满足5GHz及以上频段的高性能应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无源 空腔 型单晶 薄膜 声波 谐振器 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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