[发明专利]一种外置普通电阻功率MOSFET控制方法及控制器

摘要

本发明涉及一种外置普通电阻功率MOSFET控制方法及控制器。本发明的方法包括以下步骤：1)检测功率MOSFET的功率管源漏两端的电压；2)计算出功率MOSFET的功率管的源漏电压差；3)通过内部电流基准输出电流至外部低温漂普通电阻，从而转化为基准电压；4)通过比较基准电压同功率MOSFET的功率管源漏之间的压差，从而判断功率MOSFET的功率管所处状态；5)通过设置不同阻值的电阻，实现对不同功率的功率MOSFET的功率管的控制。本发明具有缩小功率MOSFET控制电路面积的优点。