[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件制造工具在审

专利信息
申请号: 202011394519.4 申请日: 2020-12-02
公开(公告)号: CN112987515A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 李邦鼎;李蕙君;杨展亮 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/38 分类号: G03F7/38;G03F7/004
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 赵艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明涉及制造半导体器件的方法和半导体器件制造工具。具体地,所述制造半导体器件的方法包括在基板上方形成包括光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。将所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射。在将所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射之后,加热所述光致抗蚀剂层。在加热期间,所述光致抗蚀剂层暴露于大于45%相对湿度的环境中。在所述加热后使所述光致抗蚀剂层显影,以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。
搜索关键词: 制造 半导体器件 方法 工具
【主权项】:
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