[发明专利]一种具有低电阻率P型层的深紫外LED外延制造方法在审
| 申请号： | 202011395107.2 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112331752A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 311222 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有低电阻率P型层的深紫外LED外延制造方法，属于半导体光电子技术领域，包括如下步骤：在LED外延片基底的电子阻挡层之上生长P型AlGaN层；在P型AlGaN层上交替生长第一P型GaN层和第二P型GaN层；其中：第一P型GaN层和第二P型GaN层的生长温度不同；第一P型GaN层和第二P型GaN层的掺杂浓度和/或氢气流量不同；在P型AlGaN层上的一层生长第一P型GaN层。本发明所产LED外延片晶体质量高，P型杂质活化率高，整体发光效率高，材料内部的氮空位少，掺杂效率高、导电性能好，且外观质量好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电阻率 深紫 led 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
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