[发明专利]具有屏蔽栅沟槽结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202011395298.2 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112509980B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 沈新林;任洪;陈一;丛茂杰 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有屏蔽栅沟槽的半导体器件及其制造方法，在回刻蚀场氧化层以形成核心区的屏蔽氧化层之后，且在通过热氧化工艺一步形成核心区屏蔽栅上方的栅间氧化层和栅氧化层之前，先通过平坦化工艺或者回刻蚀工艺来降低终端区的沟槽中的缝隙深度，由此在后续形成核心区的多晶硅栅的工艺中能避免在终端区的沟槽中产生的多晶硅残留，有效解决终端区器件的CP参数失效问题，保证半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 屏蔽 沟槽 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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