[发明专利]一种半导体激光器结构有效
| 申请号： | 202011396116.3 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112615258B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 何林安;周坤;杜维川;李弋;高松信;唐淳 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/30 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 李想 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器结构，属于半导体光电子的技术领域，该结构包括：由下往上分别设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和欧姆接触层，其中，在所述下波导层与有源层之间、有源层与上波导层之间分别嵌入有高折射率层，以达到有效提高大光腔波导结构的基模限制因子，同时增强波导对载流子的限制，降低器件的阈值电流，降低高阶模的模式增益，进而提高大光腔波导结构半导体激光器的基模输出功率，改善光束质量，为制备高性能的790nm高功率半导体激光器奠定基础的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 结构 | ||
【主权项】：
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