[发明专利]铁电浮栅存储器单元串及制备方法

摘要

本发明公开了一种铁电浮栅存储器单元串及制备方法，包括：绝缘衬底上侧设置有沟道层，沟道层上设置有隧穿介质层，隧穿介质层上侧设置有复合单元；复合单元包括由下至上依次设置的浮栅金属层、铁电介质层和第一控制栅极金属层，其中，至少浮栅金属层和第一控制栅极金属层的两端覆盖有第一绝缘介质层；绝缘衬底上侧两端嵌装有源电极金属层和漏电极金属层。本发明提供的铁电浮栅存储器单元串，通过浮栅金属层控制电子行为，能够最大化铁电介质层的产生的铁电极化电场对电荷的束缚作用，有效延长存储时间，降低响应时间，提高铁电浮栅存储器单元串的整体性能。