[发明专利]一种利用神经网络预测电离层频率扩展F发生概率的方法在审

专利信息
申请号: 202011397336.8 申请日: 2020-12-02
公开(公告)号: CN112508262A 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 王宁;屈军锁;吴青;王之仓;韩雨烜;魏禹;李龙 申请(专利权)人: 西安邮电大学
主分类号: G06Q10/04 分类号: G06Q10/04;G06N3/08;G06N3/04
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 张海平
地址: 710121 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种利用神经网络预测电离层频率扩展F发生概率的方法,包括:步骤A.从foF2数据中读取电离层频率扩展F的信息,并计算其发生概率;步骤B.找出与foF2数据同时刻的F10.7指数和Dst指数,与foF2数据合成样本数据集;步骤C.从样本数据集中分出训练数据和测试数据,利用神经网络算法对电离层频率扩展F的发生概率P进行反演,通过反复对训练数据进行训练,生成电离层频率扩展F的发生概率P的预测模型,并利用测试数据进行测试,直到预测模型达到要求的精度为止;步骤D.通过训练好的预测模型对电离层频率扩展F发生概率进行预测。本发明能够实时、快速、高精度的预测电离层扩展F发生概率,模型能应用于其他预测系统中。
搜索关键词: 一种 利用 神经网络 预测 电离层 频率 扩展 发生 概率 方法
【主权项】:
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