[发明专利]一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法有效
| 申请号： | 202011397875.1 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112652536B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 高东岳;张大华;叶枫叶;骆健 | 申请（专利权）人： | 南瑞联研半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 张赏 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体器件设计技术领域，具体涉及一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法，该方法依次制备了N型增强层、P型体区、N+区、介质层、发射极、P型集电区和集电极，制备出P型体区的底部和侧面为N型增强层的N‑P‑N结构，且P型体区底部和侧面的N型增强层不相连。本发明制备的低导通压降平面栅IGBT具有击穿电压高，反向传输电容低和导通压降较低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低导通压降 平面 igbt 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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