[发明专利]等离子体工艺腔室电弧放电的监测方法及系统在审
| 申请号： | 202011398761.9 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112635285A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 蒋志超;罗兴安;胡淼龙;张春雷;桂铭阳 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种等离子体工艺腔室电弧放电的监测方法及系统，监测方法的特征在于，包括：在所述等离子体工艺腔室中定义多个监测区域；在等离子体工艺过程中，通过监测多个所述监测区域的等离子体辉光强度，判断出现电弧放电的监测区域。本发明通过在等离子体工艺腔室中定义多个监测区域，在等离子体工艺过程中，通过监测多个监测区域的等离子体辉光强度，判断是否有电弧放电发生，以及具体在哪个监测区域发生。本发明在等离子体工艺腔室出现电弧放电后能够精确定位其发生位置，使后续设备维护时能有助于分析发生电弧放电的原因，防止再发。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 工艺 电弧 放电 监测 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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