[发明专利]一种单宁酸-钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极及制备方法有效
| 申请号： | 202011398889.5 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112458493B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 董玉明;张煜霞;王光丽;李激;顾丹;张萍波;冷炎;朱永法;蒋平平 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C25B11/091 | 分类号： | C25B11/091;C25B1/55;C25B1/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 彭素琴 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极及制备方法，属于材料科学技术和化学领域。本发明所述的制备单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极的方法包括如下步骤：通过水热合成法将NiO薄膜沉积到FTO导电玻璃上、通过空气热氧化法制备CuO/NiO电极、采用光化学方法制备NixP/CuO/NiO电极、将NixP/CuO/NiO电极浸入CoCl2溶液10‑20min后取出，洗涤；再浸入单宁酸溶液中，调节pH为9‑10，反应0.5‑1.5h；反应结束后洗涤、干燥，得到单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极。本发明所述的单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极的产氢效率高，可以达到1.77μmol/h以上；稳定性良好，在测试长达8000s时，该电极的光电流密度仅比初始值略有下降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单宁酸 络合物 修饰 nixp cuo nio 光电 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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