[发明专利]微电子器件和用于制造这样的器件的方法

摘要

本公开的实施例涉及微电子器件和用于制造这样的器件的方法。一种器件包括位于衬底的相同第一部分的MOS晶体管和双极晶体管。第一部分包括掺杂有形成MOS晶体管的沟道的第一类型的第一阱和与第一类型相对的掺杂有第二类型的两个第一区域，该第一区域布置在构成MOS晶体管的源极和漏极的第一阱中。第一部分还包括：掺杂有相对于第一阱横向布置以形成双极晶体管基极的第二类型的第二阱；掺杂第一类型的第二区域，该第二区域布置在第二阱中以形成双极晶体管的发射极；以及掺杂第一类型的第三区域，该第三区域布置在第二阱下面，形成双极晶体管的集电极。