[发明专利]接合散热器与半导体元件的方法及其散热器结构在审
| 申请号： | 202011402481.0 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114582728A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 林育申;郑坚地 | 申请（专利权）人： | 双鸿科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台湾新北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种接合散热器与半导体元件的方法及其散热器结构，该方法包括：将散热器主体接近半导体晶片，使得散热器主体接合面上的热传凸块中的第一类热传凸块接触设置于半导体晶片上的热传垫；进行超音波震动，使得第一类热传凸块与热传垫产生键合；施加压力并进行超音波震动以压紧散热器主体和半导体晶片，使得热传凸块中的第二类热传凸块与热传垫产生键合。在第一类热传凸块接触热传垫前，第一类热传凸块相较于接合面具有第一高度，第二类热传凸块相较于接合面具有第二高度，第一高度大于第二高度。本发明通过散热器上不同高度热传凸块所形成的渐进式扩散键合，降低以超音波震动产生键合时所需的耗能和键合温度。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 散热器 半导体 元件 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于双鸿科技股份有限公司，未经双鸿科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011402481.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：信息交互方法、装置及设备
- 下一篇：输油管的处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
