[发明专利]包括绝缘栅双极晶体管的半导体器件在审
| 申请号： | 202011402792.7 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112909084A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | C·P·桑多;W·勒斯纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/861;H01L29/739;H01L27/06;H01L21/8249;H01L21/329;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;周学斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了包括绝缘栅双极晶体管的半导体器件。提出了一种半导体器件(100)。半导体器件包括在半导体本体(106)的IGBT部分(104)中的IGBT(102)。半导体器件(100)进一步包括在半导体本体的二极管部分(110)中的二极管(108)。二极管包括第一导电类型的阳极区(132)。阳极区(132)是由沿着第一横向方向(x1)的二极管沟槽(134)界定的。每个二极管沟槽(134)包括二极管沟槽电极(136)和二极管沟槽电介质(138)。第一接触凹槽(140)从半导体本体(106)的第一表面(122)沿着竖向方向(y)延伸到阳极区(132)中。第一导电类型的阳极接触区(148)邻接第一接触凹槽(140)的底部侧。第二导电类型的阴极接触区(128)邻接半导体本体(106)的与第一表面(122)相对的第二表面(126)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 绝缘 双极晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
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