[发明专利]一种等离子体退火设备及方法在审
| 申请号： | 202011403008.4 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112331597A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 廖奇泊 | 申请（专利权）人： | 淄博绿能芯创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32;C30B29/06;C30B33/02;C30B33/04 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 255025 山东省淄博市高新区中*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种等离子体退火设备及方法，包括真空腔室和退火腔室，且真空腔室与退火腔室之间连通有连通口，真空腔室连通有进气管，真空腔室内设置有等离子源，等离子源位于进气管管口的下侧，且真空腔室内还设置有磁场过滤组件，退火腔室内设置有基台，基台上设置有下部电极，且所述退火腔室上还设置有温度调节装置以及压力调节组件；还包括以下步骤：S1:将硅片放置在基台上；S2：选择多孔板并安装在真空腔室内；S3:将线圈通电；S4：将混合气体通入真空腔室内并启动等离子源；S5：调节下部电极偏压的大小,从而控制等离子体的能量；S6：通过温度调节装置和压力调节组件调节真空腔室内的温度和压强，直至形成超临界气体，从而有助于提高退火效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 退火 设备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
