[发明专利]一种大应变压电陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明描述了一种大应变压电陶瓷材料及其制备方法，属于电子元器件制造技术领域。该压电陶瓷材料的化学通式为：Pb1‑xSrx[(Ni1/3Nb2/3)0.3(ZryTi1‑y)0.695]O3+z wt％Sb2O3，其中0≤x≤0.015，0.42≤y≤0.44，0≤z≤1.5。该压电陶瓷材料是采用电子陶瓷制备工艺，在PZT二元系的基础上进行多元复合并掺杂改性得到的，具有较高的介电常数(ε33T/ε0＝3800±12.5％)、压电应变系数(d33＝660±15％pC/N)和机电耦合系数(kp＝0.66±6.0％)。其主要应用于微位移驱动器，在一定电场强度下能产生较高的应变，有效提高器件的可靠性及优化后端装备，提高激光器的稳频效果，在电子信息技术、航空航天以及国防工业等领域将得到广泛应用。