[发明专利]基于片上功率合成的太赫兹二倍频器及功率合成方法有效
| 申请号： | 202011403209.4 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112367051B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 郭诚;舒敏杰;张安学;宋旭波;梁士雄;顾国栋;张立森;吕元杰;冯志红 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H03B19/14 | 分类号： | H03B19/14 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 张海平 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于片上功率合成的太赫兹二倍频器及功率合成方法，基于片上功率合成方案的二倍频器结构包括矩形波导输入端口、肖特基二极管倍频电路和矩形波导输出端口，所述的肖特基二极管倍频电路包括GaAs基片和位于该基片上成对的输入微带探针、肖特基二极管、带通滤波器、输出微带探针、低通滤波器以及直流偏置电路；输入信号在矩形波导输入端口处利用金属脊和波导‑微带探针过渡实现了空间功率分配，倍频信号在矩形波导输出端口处利用微带探针‑波导过渡实现了空间功率合成，从而极大减小了结构的电长度，进而实现了结构紧凑和低损耗性能，为所设计的太赫兹二倍频器提供了额外增益，此外也具有更容易装配和散热特性更好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 功率 合成 赫兹 倍频器 方法 | ||
【主权项】：
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