[发明专利]一种基于等离子气相沉积的金刚石薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011403657.4 申请日: 2020-12-02
公开(公告)号: CN112553590B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 满卫东;朱长征;龚闯;吴剑波;蒋剑宏;杨春梅 申请(专利权)人: 上海征世科技股份有限公司
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/02;C23C16/511;C23C18/18;C23C18/36;B22F1/02
代理公司: 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 代理人: 王文娟
地址: 201799 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种基于等离子气相沉积的金刚石薄膜及其制备方法。金刚石薄膜的制备方法包括以下步骤;1、取以下各重量份原料;纳米金刚石微粉75‑80份、丙烯酸甲酯12‑15份、分散剂12‑15份、硬脂酸钠1‑3份经过分步处理,得到纳米金刚石混合液;2、采用化学镀,制得镍‑氮化硅基底,再对镍‑氮化硅基底进行海藻酸钠改性;3、上述处理得到的基底置于纳米金刚石混合液中,超声震荡,吸附、烘干;4、将上述得到的基底,置于微波等离子沉积设备中,进行氢化处理,最终得到金刚石薄膜。本方法制备的金刚石薄膜与基底的附着力强,不易脱落;金刚石薄膜的韧性和耐摩擦性能较好。
搜索关键词: 一种 基于 等离子 沉积 金刚石 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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