[发明专利]多栅极横向溢出积分电容器传感器在审
| 申请号： | 202011405223.8 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112995548A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 崔雲;马渕圭司 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/378 | 分类号： | H04N5/378;H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘媛媛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及多栅极横向溢出积分电容器传感器。一种像素电路包含安置于半导体材料层中的光电二极管、浮动扩散部以及多栅极转移块的传导栅极沟道。多栅极转移块耦合到光电二极管、浮动扩散部及溢出电容器。多栅极转移块还包含安置成接近于单个传导栅极沟道区域的第一栅极、第二栅极及第三栅极。传导栅极沟道是在第一栅极、第二栅极与第三栅极当中共享的单个区域。在光电二极管中产生的溢出图像电荷响应于第一栅极接收到第一栅极关断信号且第二栅极接收到第二栅极接通信号而从光电二极管泄漏到传导栅极沟道中到达溢出电容器，第一栅极耦合于光电二极管与传导栅极沟道之间，且第二栅极耦合于传导栅极沟道与溢出电容器之间。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 横向 溢出 积分 电容器 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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