[发明专利]复合导电薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管在审
| 申请号： | 202011405694.9 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112635102A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 彭俊彪;林奕龙;吴永波;兰林锋 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/02;H01B1/08;H01B13/00;H01L29/786;H01L29/417;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 赵蕊红 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种复合导电薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管，复合导电薄膜由导电氧化物薄膜和纳米导电材料层堆叠构成，导电氧化物薄膜位于纳米导电材料层之下；复合导电薄膜的制备工艺如下：步骤S1，在基底上用喷墨打印方式打印导电氧化物墨水，并进行第一次退火处理，第一次退火处理后形成导电氧化物薄膜；步骤S2，在导电氧化物薄膜上用喷墨打印方式打印纳米导电材料层，并进行第二次退火处理，第二次退火处理后形成复合导电薄膜。复合导电薄膜能够作为薄膜晶体管的源极或者漏极。该复合导电薄膜化学稳定性好，电导率高，纳米导电材料的扩散度小且抗腐蚀性好。应用于薄膜晶体管时使薄膜晶体管具有接触电阻小、开态电流大和器件迁移率高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 导电 薄膜 及其 制备 方法 以及 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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