[发明专利]单晶制备装置及单晶的制备方法在审
| 申请号： | 202011405782.9 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112899771A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 上田亮辅;下村库一;杉田圭谦 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/12 | 分类号： | C30B13/12;C30B29/06;C30B13/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供基于FZ法的单晶制备装置和单晶的制备方法，其能够在稳定地设置掺杂剂供给管的同时，使单晶的电阻率的面内分布尽可能均匀。单晶制备装置(1)具备：上轴(11)，其将原料棒(2)支承为能够旋转和能够升降；下轴(13)，其与上轴(11)同轴配置，将配置在原料棒(2)的下方的晶种(3)支承为能够旋转和能够升降；感应加热线圈(20)，其加热原料棒(2)而生成熔融带(5)；和掺杂剂供给管(31)，其设置在感应加热线圈(20)的上面侧，向熔融带(5)供给掺杂剂气体。感应加热线圈(20)具有从上面贯通至下面的开口部，掺杂剂供给管(31)的前端部插入到开口部内。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司，未经胜高股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011405782.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
