[发明专利]一种全无机量子点基阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202011409082.7 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112510147B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 周静;王志青;陈文;沈杰;赵利军;侯大军 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 彭月 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种全无机量子点基阻变存储器及制备方法，涉及半导体领域，包括自下而上依次设置的基板、底电极、阻变层和顶电极，其中，所述底电极与阻变层之间还设置有缓冲层。本发明通过增加铁电材料缓冲层，使阻变存储器的工作电压降低至0.3V以下，存储窗口提高到10 |
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| 搜索关键词： | 一种 无机 量子 点基阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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