[发明专利]集成CMOS电路的热电堆传感器系统及其制造方法在审
| 申请号： | 202011410282.4 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112591706A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 孙伟;闻永祥;刘琛;李佳 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集昕微电子有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种集成CMOS电路的热电堆传感器系统及其制造方法，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；CMOS电路，位于第一区域内，包括源极和漏极以及栅叠层；热电堆传感器，位于第二区域内，包括热电偶电极；层间介质层，覆盖CMOS电路和热电堆传感器；金属层，位于层间介质层上，包括第一区域内的金属互联层和第二区域内的热电堆金属层；热电偶电极位于第二区域中的多个子区域内，每个子区域的热电偶电极包括第一电极层和第二电极层，每个子区域的第二电极层位于第一电极层上，由隔离层隔开；第一电极层通过热电堆金属层连接不同子区域的第二电极层。本申请可以降低管芯面积以及堆叠排布引起的噪声，增加热电堆传感器系统的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 cmos 电路 热电 传感器 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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