[发明专利]一种高耐电场强度、高储能密度的NBT-BT基驰豫铁电陶瓷薄膜材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011412077.1 申请日: 2020-12-03
公开(公告)号: CN112430084B 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 吕静雯;李洋;严岩;李权;刘岗 申请(专利权)人: 西南大学
主分类号: C04B35/475 分类号: C04B35/475;C04B35/622
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 400715*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明涉及一种高耐电场强度、高储能密度的NBT‑BT基驰豫铁电陶瓷薄膜材料及其制备方法,属于介电陶瓷材料制备技术领域。本本发明公开了一种化学组成为0.6(0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaTiO3)‑0.4(Sr0.7Bi0.2TiO3)‑0.1%Dy2O3(简写为NBT‑BT‑40SBT‑Dy)的高耐电场强度、高储能密度的NBT‑BT基驰豫铁电陶瓷薄膜材料。本发明的NBT‑BT基驰豫铁电陶瓷薄膜材料具有以下性能:(1)电滞回线形状纤细,表现出弛豫铁电体的特征,耐电场强度可以达到270kV/cm;(2)总储能密度和有效储能密度随电场的增加而增大;(3)储能效率在73%以上。
搜索关键词: 一种 电场 强度 高储能 密度 nbt bt 基驰豫铁电 陶瓷 薄膜 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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