[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提供一种阵列基板的制造方法及其制造方法，阵列基板的制造方法包括如下步骤：S1：形成图案化的栅金属层；S2：形成栅极绝缘层；S3：形成半导体层；S4：形成源漏垫层；S5：沉积第一绝缘层；S6：形成第一接触孔；S7：形成公共电极；S8：形成第二接触孔，第二接触孔和第一接触孔相互连通；S9：形成像素电极，像素电极通过第二接触孔与公共电极接触，像素电极通过第三接触孔与栅金属层接触。本发明阵列基板通过在公共电极下刻蚀有机绝缘层和第一绝缘层，以减小深浅接触孔之间的段差，减少公共电极的过刻问题；同时增加了位于半导体层上的源漏垫层，以便像素电极发生过刻蚀，通过源漏垫层和公共电极连接。