[发明专利]一种基于二维MXene上原位生长TiO2有效

专利信息
申请号: 202011413590.2 申请日: 2020-12-03
公开(公告)号: CN112456551B 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 彭超;魏萍;周桃;廖雯敏;吴青怡;王耀莹;张焜 申请(专利权)人: 五邑大学
主分类号: C01G23/053 分类号: C01G23/053;C01B32/921;B01J27/22;B01J37/10;B01J37/06;C01B3/22;C01B3/04;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 颜希文;朱燕华
地址: 529000*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于二维MXene上原位生长TiO2异相结的复合材料的制备方法,本发明以Ti3C2Tx、Ti2CTx为钛源,采用低能耗、操作简易的水热法在Ti3C2Tx、Ti2CTx上原位生长TiO2,一步制得具有异相结和异质结的复合材料,显著提高了光生载流子的分离效率,使光生电子‑空穴对不仅在TiO2与Ti3C2Tx或Ti2CTx的异质结界面发生迁移,还在金红石相TiO2和锐钛矿相TiO2的异相结界面发生迁移,从而提高复合材料的量子效率,使其光催化活性大幅提升。本发明制备的复合材料具有优异的光催化活性,是一种优良的光催化剂。
搜索关键词: 一种 基于 二维 mxene 原位 生长 tio base sub
【主权项】:
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