[发明专利]一种基于原子层沉积技术制备纳米金颗粒薄膜的方法在审

专利信息
申请号: 202011415147.9 申请日: 2020-12-03
公开(公告)号: CN112680712A 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 万军;王辉;孙文斌;王斌;廖海涛 申请(专利权)人: 无锡市邑晶半导体科技有限公司
主分类号: C23C16/18 分类号: C23C16/18;C23C16/455;C23C16/50;B82Y40/00
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 刘杰
地址: 214028 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请提供的一种基于原子层沉积技术制备纳米金颗粒薄膜的方法采用等离子增强原子层沉积技术,利用载气将金属有机化合物前驱体脉冲入反应室,并在衬底表面发生化学自饱和吸附及发生交换反应,又采用惰性气体对过量的前驱体及副产物进行吹扫清洗,随后引入肼类还原性前驱体,与置换后的新表面发生还原反应生产金单质薄膜。由于前驱体的自饱和性化学吸附,因此一个循环周期生成一个单原子层薄膜,控制循环的周期可以精确控制金单质薄膜的厚度,且成膜不受衬底表面和形状的影响;所沉积的纳米金薄膜均匀完整、纯度高、厚度精确可控。
搜索关键词: 一种 基于 原子 沉积 技术 制备 纳米 颗粒 薄膜 方法
【主权项】:
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