[发明专利]一种薄膜紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明提供一种BaTiO3薄膜紫外探测器及其制备方法，特别是一种禁带宽度在3.9～4.4eV的BaTiO3薄膜。包括衬底、生长于衬底上表面的BaTiO3薄膜、以及复合于BaTiO3薄膜上的叉指电极层；BaTiO3薄膜的禁带宽度为3.9～4.4eV；BaTiO3薄膜的晶粒尺寸为0.01～30nm；BaTiO3薄膜的厚度为50～500nm；BaTiO3薄膜的光吸收截止边为280～320nm。本发明制备的BaTiO3薄膜具有晶粒尺寸小、禁带宽度宽、吸收截止边在280～320nm等特点，使得BaTiO3紫外探测器对应的探测波长在280～320nm，是一种优异的UVB光电探测材料，实现BaTiO3对UVB波段的探测，拓宽其在UVB紫外探测器领域的应用。