[发明专利]一种一写多读高并发无锁环形缓存及其实现方法在审

专利信息
申请号: 202011416055.2 申请日: 2020-12-08
公开(公告)号: CN112416816A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 刘士奇;蔡楚煌;黄欣;王中澎;魏胜男;高昀;朱贤;王鹏;张清;王嘉晨;张彧;童兰轩 申请(专利权)人: 上证所信息网络有限公司
主分类号: G06F12/0813 分类号: G06F12/0813
代理公司: 上海三方专利事务所(普通合伙) 31127 代理人: 吴玮
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及软件系统缓存技术领域,具体来说是一种一写多读高并发无锁环形缓存及其实现方法,环形缓存由m个存储节点组成,m为正整数,每个存储节点由读写标记域、数据的实际长度域、节点的索引值域和数据域组成,节点数视为环形缓存的长度,长度需要满足2的n次幂,n为正整数,环形缓存会根据其长度对每个节点进行位置编号,编号是从0开始依次递增的自然数,直到环形缓存的长度减1,其优点在于:相比于单线程无缓存处理数据和多线程下通过锁机制来实现的缓存,使用高并发无锁环形缓存的方法大幅度提高了系统的处理性能,对低时延和高并发要求高的系统来说,高并发无锁环形缓存提供了一种解决方案。
搜索关键词: 一种 一写多读高 并发 环形 缓存 及其 实现 方法
【主权项】:
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