[发明专利]一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI-LDMOS器件有效
| 申请号： | 202011417175.4 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112420846B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 陈伟中;秦海峰;王礼祥;许峰;黄义 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 杨柳岸 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI‑LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。该器件在传统表面栅薄层SOI‑LDMOS器件上，在埋氧层处额外引入体内栅极并在漂移区引入P型埋层，优点：(1)在正向导通时，该器件的表面与体内同时形成两个导电沟道，使电子的注入能力有很大的提升，从而降低器件的比导通电阻。引入的P型埋层提高了漂移区N型层的浓度进而优化器件的正向导通性能，最终降低器件的比导通电阻。(2)在击穿时，P型埋层优化漂移区的电场强度分布，P型埋层与N型层相互耗尽从而使漂移区发生电荷补偿效应。(3)在埋氧层引入体内栅极，提高了器件的跨导g |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 表面 体内 沟道 横向 薄层 soi ldmos 器件 | ||
【主权项】：
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