[发明专利]射频SiP陶瓷封装外壳及其制作方法在审
申请号: | 202011418214.2 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN112563237A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 刘俊永;吴建利;王伟 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/14;H01L23/15;H01L23/02;H01L21/48 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 张梦媚 |
地址: | 230088 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种射频SiP陶瓷封装外壳及其制作方法,其包括多层布线陶瓷基板、金属围框和金属盖板,所述金属围框焊接于所述多层布线陶瓷基板的表面,所述金属盖板与所述金属围框焊接固定从而将所述技术围框封盖;所述多层布线陶瓷基板设有带地共面波导‑类同轴‑带线‑类同轴‑带地共面波导的2级阶梯形式阻抗匹配传输线结构,在保证封装外壳气密性的同时,可明显降低射频信号传输插损,实现封装外壳的轻量化和小型化。 | ||
搜索关键词: | 射频 sip 陶瓷封装 外壳 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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