[发明专利]一种用于方钴矿热电材料与Cu基电极的低温纳米连接方法有效
| 申请号： | 202011418595.4 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112621116B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 耿慧远;冯杭彬 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | B23P15/00 | 分类号： | B23P15/00;B23K1/008;H01L35/34;B08B3/12 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种用于方钴矿热电材料与Cu基电极的低温纳米连接方法，涉及一种用于方钴矿热电材料与电极的连接方法。目的是解决现有的方钴矿与铜电极连接存在元素扩散和装夹难度大的问题。方法：在方钴矿表面镀覆含Co元素的防扩散阻隔层，然后在防扩散阻隔层表面涂纳米银焊膏，再在纳米银焊膏表面放置Cu电极，构成焊接件，进行真空钎焊，即完成。本发明采用膏状纳米银焊膏实现低温连接方钴矿与电极，连接后接头未发生元素扩散，接头接触电阻低。连接速度快，效率高，能够实现器件的大规模制备。本发明适用于方钴矿热电材料与Cu电极的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 方钴矿 热电 材料 cu 电极 低温 纳米 连接 方法 | ||
【主权项】：
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