[发明专利]一种提高碳化硅外延薄膜生长质量的方法有效
| 申请号： | 202011420249.X | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112490117B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 刘杰;冯淦;赵建辉 | 申请（专利权）人： | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 刘小勤 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市火炬高*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种提高碳化硅外延薄膜生长质量的方法，包括清洗衬底置于反应室内的小盘上；将反应室抽至真空，随后通入氢气，进行恒温刻蚀；采用线性缓变的方式在20～100s内改变反应室压力、温度，同时通入碳源、硅源，其中C/Si摩尔比由0渐变至0.80～1.10；采用线性缓变的方式在20～100s内改变碳源流量和硅源流量，保持C/Si摩尔比不变；采用线性缓变的方式20～100s内改变温度、压力、碳源流量以及硅源流量至目标条件进行外延薄膜生长直至目标厚度等。采用本发明所述提高碳化硅外延薄膜生长质量的方法，可以显著降低外延薄膜的外延薄膜的晶体缺陷，其工艺控制简洁，可操作性强，具有较好的运用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 碳化硅 外延 薄膜 生长 质量 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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