[发明专利]一种硅片检测方法在审
| 申请号： | 202011420756.3 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112289700A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏;张婉婉 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;顾春天 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅片检测方法。硅片检测方法包括：提供一待检测硅片；在待检测硅片的待检测表面设置承载片，获得由待检测硅片和承载片叠加形成的组合硅片，承载片覆盖待检测表面，组合硅片具有与待检测表面平行的第一表面和第二表面；研磨组合硅片，以在组合硅片上形成检测平面，检测平面由第一表面延伸至第二表面，检测平面与待检测表面之间的第一夹角大于0度且小于90度；检测检测平面上的损伤尺寸；根据损伤尺寸和第一夹角计算待检测表面的损伤深度。本发明实施例有助于提高对于硅片损伤深度的检测精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
