[发明专利]一种基于填充理想导体的多层周期透波结构在审
| 申请号： | 202011421236.4 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112615163A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 赵林;谢慧;王宁;朱婷婷;谢宇轩 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军海军工程大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 李佑宏 |
| 地址： | 430033 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于填充理想导体的多层周期透波结构，该结构包括理想金属导体、敷设在所述理想金属导体表面的等效近零介电常数媒介层，所述等效近零介电常数媒介层为由正介电常数材料与负介电常数材料交替组成的多层周期结构。本发明实现了基于介质掺杂理论，通过在微波频段采用正介电常数与负介电常数交替组成多层周期结构实现等效近零介电常数媒介，并将多层周期结构作为薄层涂覆在理想金属表面，令理想金属转化成理想透波结构，从而实现了电磁隐身效果。以此克服了吸波型电磁隐身材料无法同时满足波阻抗和电磁损耗参数的矛盾。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 填充 理想 导体 多层 周期 结构 | ||
【主权项】：
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