[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 202011424684.X | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112563884B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 孙昀;吴德馨;荀孟;潘冠中;赵壮壮;周静涛;王大海;金智 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01S5/187 | 分类号： | H01S5/187;H01S5/042;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王江选 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，其中，该垂直腔面发射激光器，按照预设方向，依次包括：衬底、缓冲层、N电极接触层、第一分布布拉格反射镜、第一包层、第一异质结限制层、有源区、第二异质结限制层、第二包层、氧化限制层、第二分布布拉格反射镜、P电极以及N电极，其中，有源区包括多个宽度不同的非均匀压缩应变量子阱；N电极接触层的掺杂浓度高于衬底和第一分布布拉格反射镜的掺杂浓度；N电极设置于N电极接触层上，形成N电极接触层的外延结构。通过该垂直腔面发射激光器的设计，可以实现器件的宽温域工作，且具有制备工艺简单、重复性好、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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