[发明专利]一种Si-Sb-Sn相变存储材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202011424817.3 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112599666A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 郝艳;周细应;吴德振;周文华;范志君;邱小小;刘银杰 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海统摄知识产权代理事务所(普通合伙) 31303 | 代理人： | 杜亚 |
| 地址： | 201620 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种Si‑Sb‑Sn相变存储材料及其制备方法，采用磁控溅射法制备，磁控溅射的工艺参数为：氩气流量30～35sccm，溅射气压0.8～1Pa；Si靶溅射功率50W，Sb靶溅射功率20W，Sn靶的溅射功率8～12W；制得的Si‑Sb‑Sn相变存储材料的通式为Sn |
||
| 搜索关键词： | 一种 si sb sn 相变 存储 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海工程技术大学，未经上海工程技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011424817.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
