[发明专利]黑硅等离激元辅助吸收的热电堆芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 202011425411.7 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112577612B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 黄建;雷仁方;李睿智;袁安波;吴雪飞;朱继鑫 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | G01J5/12 | 分类号： | G01J5/12;H01L35/12;H01L35/32;H01L35/34;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 崔雷 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种黑硅等离激元辅助吸收的热电堆芯片，包括硅衬底，所述硅衬底上设有支撑层，所述硅衬底的中部设有空气腔，所述支撑层上设有热电偶，所述热电偶的两端各设有一个电极压焊点；所述热端区域覆盖有吸收层；所述吸收层包括黑硅微纳结构和金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒生长在黑硅微纳结构上形成黑硅等离激元，所述黑硅等离激元的表面设有保护钝化层。本发明中，采用黑硅微纳结构和金属等离激元作为热电堆吸收层，吸收率高、吸收光谱范围宽、响应速度快、通用性好；金属等离激元为不连续金属纳米颗粒，提高了光热转化效率，热电堆灵敏度高；材料易于获取，对工艺平台要求低。 | ||
| 搜索关键词： | 离激元 辅助 吸收 热电 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所，未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011425411.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
