[发明专利]一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法有效
| 申请号： | 202011426039.1 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112461861B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 索开南;杨洪星;张伟才;庞炳远;李聪;陈晨;杨静;王雄龙;郑万超 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 杨舒文 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法。步骤如下：步骤一，采用强光灯下目检的方式，对表面质量进行初步判断；步骤二，强光灯下目检合格的晶片进行表面颗粒度检测；步骤三，小于表面颗粒检测范围的表面不平坦状况采用Haze值来表征，经表面颗粒度检测合格的样品才有必要进行表面雾值扫描；步骤四，经Haze检测合格的硅单晶抛光片需要进行表面粗糙度检测；步骤五，表面粗糙度抽检合格的硅单晶抛光片还要进行延时表面雾值检测。采用该评价方法可以精准评价精抛光片表面是否能够满足硅硅直接键合的工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 合用 硅单晶 抛光 表面 质量 评价 方法 | ||
【主权项】：
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