[发明专利]一种改善硫化钨连续膜均匀性的方法

摘要

本发明公开了一种改善硫化钨连续膜均匀性的方法。该方法的步骤是：首先采用CVD法在特定衬底表面进行连续硫化钨薄膜的生长。生长结束后将获得的连续膜放入石英舟中，然后将装有连续膜的石英舟放入石英系统中，向系统中通入100‑150sccm的Ar，保持系统压力在5‑10mbar，将系统温度升高至950℃‑1000℃，当系统温度达到设定温度后，向系统内通入5sccm‑10sccm的H2，在氢气气氛下对连续膜进行表面热处理。H2对硫化物的单晶终端能够起到一定的刻蚀作用，能够有效去除连续膜表面存在的小尺寸二次成核单晶，提高连续膜均匀性。