[发明专利]电子产品用DFN半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202011426172.7 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN112701054B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 马磊;党鹏;杨光;彭小虎;王新刚;庞朋涛;任斌;王妙妙 | 申请（专利权）人： | 西安航思半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/367;H01L23/31 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 710300 陕西省西安市鄠*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子产品用半导体器件的制造方法，其半导体器件包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述散热焊盘的中央区开有一供芯片嵌入的沉槽，从而在散热焊盘的边缘区形成一围堰部；包括以下步骤：先将硅微粉和阻燃剂与3‑氨基丙基三乙氧基硅烷混合均匀；再加入环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、焦碳酸二乙酯、聚乙二醇单辛基苯基醚、醋酸丁酸纤维素、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚和脱模剂。该方法制备得到的半导体器件内部气孔的发生率低，且改善半导体器件的散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 电子产品 dfn 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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